MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89

Diodes Inc

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:1A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:700 毫欧 @ 1.5A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.9nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):138pF @ 50V,功率 - 最大值:1.5W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-243AA,供应商器件封装:SOT-89-3

• 深圳市雄丰科技电子有限公司
• 深圳市科创腾达科技有限公司
• 深圳市美睿电子有限公司
• 比苛雷凯企业(香港)有限公司
• 深圳市正伟亿科技有限公司
• 深圳市金科电子商行
• 深圳市图威创电子有限公司